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Phenom Pharos-STEM 飛納臺(tái)式掃描透射電鏡

更新時(shí)間:2023-12-29
產(chǎn)品型號(hào):
所屬分類(lèi):臺(tái)式場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡
描述:Phenom Pharos-STEM 飛納臺(tái)式掃描透射電鏡配備了 STEM 樣品杯,從另一個(gè)維度提高了其成像能力和應(yīng)用的多樣性。
詳情介紹

Phenom Pharos 臺(tái)式場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡因其多功能性和成像性能贏得了良好的口碑 —— 即使是在傳統(tǒng)較難觀測(cè)的樣品中也表現(xiàn)優(yōu)異。直觀的用戶(hù)界面有助于將高分辨率圖像呈現(xiàn)給用戶(hù), FEG 場(chǎng)發(fā)射電子源在 1-20kV 的加速電壓范圍內(nèi)都提供了高分辨率。


Phenom Pharos-STEM 飛納臺(tái)式掃描透射電鏡配備了 STEM 樣品杯,從另一個(gè)維度提高了其成像能力和應(yīng)用的多樣性。


新品發(fā)布.png


作為臺(tái)式場(chǎng)發(fā)射 SEM-STEM 電子顯微鏡,在較低的加速電壓下,減少了電子束對(duì)樣品的損傷,顯著提高了圖像的襯度。在臺(tái)式掃描電鏡下即可快速獲得高分辨的 BF 像、DF 像、HAADF 像,且支持用戶(hù)自定義成像。Pharos STEM 樣品杯為材料領(lǐng)域的研究提供了高效、全面的表征方式。


STEM.png

BF 像:主要是樣品正下方同軸的探測(cè)器接收透射電子和部分散射電子。影響明場(chǎng)像襯度(Contrast)的主要因素是樣品的厚度和成分。樣品越厚,原子序數(shù)(Z)越大,穿透樣品的電子越少,圖像就越暗,因此 BF 像對(duì)輕元素(Z 較?。┍容^敏感。

DF 像:主要是樣品下方非同軸位置的探測(cè)器接收散射電子信號(hào)。

HAADF 像:主要是接收高角度的非相干散射電子信號(hào)。原子序數(shù)(Z)越大,散射角也越大,原子核對(duì)入射電子的散射作用越強(qiáng),圖像上更亮。因此又被稱(chēng)為 Z 襯度像。

三種成像模式各有特點(diǎn),具有不同的成像優(yōu)勢(shì),可以根據(jù)樣品情況搭配使用,成像結(jié)果進(jìn)行互相驗(yàn)證。


煙草花葉病毒.png

煙草花葉病毒的BSE 像、BF 像、 DF 像和 HAADF 像


對(duì)比掃描電鏡的背散射電子圖像(BSE),桿狀的煙草花葉病毒在 BF 模式下更加直觀。BF 模式更適合觀察輕元素(Z 較?。p元素散射作用較弱,因此在 HAADF 模式下較難清晰觀測(cè)細(xì)節(jié)。


而桿狀煙草花葉病毒周?chē)^厚的脂質(zhì)球,電子較難穿透,BF 像上相對(duì)較暗。在 DF 模式下,密度較大的脂質(zhì)球表現(xiàn)出較強(qiáng)的衍射,因此在 DF 像上相對(duì)較亮。

Phenom Pharos-STEM 飛納臺(tái)式掃描透射電鏡規(guī)格參數(shù):


  • 系統(tǒng)兼容:Phenom Pharos G2 臺(tái)式場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡

  • 樣品兼容:? 3mm TEM 載網(wǎng)(夾具固定)

  • 成像時(shí)間:< 40 s*

  • 成像模式:BF、DF、HAADF、 自定義**

  • 真空度:0.1, 10 & 60 Pa

  • 分辨率:優(yōu)于 1 nm


* 加載樣品到呈現(xiàn)圖像的時(shí)間
** STEM 具有 11 分割探測(cè)器,用戶(hù)可以對(duì)其進(jìn)行自定義選擇


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